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Vishay推出五款选用改进规划的INT-A-PAK封装新式半桥IGBT功率模块

1970-01-01 电镀金系列

  推出五款选用改进规划的 INT-A-PAK 封装新式半桥 IGBT 功率模块。新式器材由组成,选用 Vishay 的 Trench IGBT 技能制作,为规划人员供给两种业界先进的技能选件—低 VCE(ON)或低 Eoff—下降运送、动力及

  日前发布的半桥器材运用节约动力的作用优于市场上其他器材的 Trench IGBT,与具有超软反向恢复特性的第四代 FRED Pt反并联二极管封装在一起。模块小型 INT-A-PAK 封装选用新式栅极引脚布局,与 34 mm 工业规范封装 100% 兼容,可选用机械插接方法替换。

  这款工业级器材可用在一切使用的,包含铁路设备、发电配电和储电体系、焊接设备、电机驱动器机器人。

  模块契合RoHS规范,集电极至发射极电压为650 V,集电极接连电流为100 A至200 A,结到外壳的热阻极低。

  器材经过UL E78996认证,可直接装置散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。

  原文标题:选用改进规划的 INT-A-PAK 封装 IGBT 功率模块,下降导通和开关损耗

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