Vishay推出选用改进规划的INT-A-PAK封装IGBT功率模块下降导通和开关损耗

  Vishay推出选用改进规划的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，下降导通和开关损耗半桥器材选用TrenchIGBT技能，可选低VCE(ON)或低Eoff，适用于大电流逆变级

  日前发布的半桥器材运用节约能源的作用优于市场上其他器材的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装选用新式栅极引脚布局，与34 mm工业规范封装100%兼容，可选用机械插接方法替换。

  这款工业级器材可用在一切使用的电源逆变器，包含铁路设备；发电、配电和储电体系；焊接设备；电机驱动器和机器人。为下降TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V，到达业界领先水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源使用，开关损耗极低，+125°C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。

  模块契合RoHS规范，集电极至发射极电压为650 V，集电极接连电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器材经过UL E78996认证，可直接装置散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。