日本 DNP 完成 2nm 工艺光掩模图画化出样 High NA 兼容光掩模

　　IT之家 12 月 27 日音讯，DNP 大日本印刷当地时间本月 12 日宣告，成功在其光掩模制品上制作了支撑 2nm 及以下 EUV 工艺的精密光掩模图画；一起该企业还完成了支撑 High NA EUV 光刻的光掩模的开始评价并已向生态合作伙伴出样。

　　IT之家注： 在现代光刻体系中，光掩模上的“大图画”是在晶圆上的芯片电路“小图画”的模板。

　　DNP 在 2023 年完成了适用于 3nm 工艺的光掩模开发，而满意 2nm 及以下工艺的光掩模不只需要在直线%，也需要在复杂度更为凸显的曲线图画上完成同份额的尺度紧缩。

　　DNP 此次成功制作精密图画，意味着其光掩模产品可满意 2nm 及以下名义制程逻辑半导体的出产需求，为更高效逻辑芯片的曝光打下了根底。该企业方案于 2027 财年（起始于同天然年 4 月）完成 2nm 光掩模量产。

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