英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 推出全部符合汽车标准的全新 EconoDUAL™ 3 IGBT 模块。这一新产品可满足商用车、工程车、农用车等可靠性要求苛刻的应用。汽车级品质是指该模块可显著增加温度周次和抗热冲击能力,而且采用了全新的可改善 EMI 特性的软特性二极管。
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出其首个FlexRay™ 收发器,进一步壮大了LIN和CAN汽车通信IC产品阵容。全新的TLE9221SX全部符合最新的FlexRay电气物理层规范3.0.1版本。它可针对车载通信实现高达10Mb/s的数据速率,并具备+/-10kV的一流ESD防护性能。
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)日前宣布其面向支付应用的16位SLE 77和SLE 78双界面安全控制器业已获得中国银行卡检测中心(BCTC)的完全检测。该16位SLE 7x产品家族的目标应用是具备接触式及非接触式功能的安全银行卡。大批量出货的交货期可以在短短4个星期之内实现,这将逐步推动中国的银行卡从磁条向智能卡迁移的步伐。
英飞凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 电力电子、智能运动、可再次生产的能源管理展览会上突出展示了650V TRENCHSTOP™ 5。新一代的薄晶圆IGBT绝缘栅双极型晶体管——TRENCHSTOP™ 5自从2012年秋季推出以来,已经获得了巨大的市场关注,它被认为是一种革新的技术。
在上海PCIM Asia 2013 电力电子、智能运动、可再次生产的能源管理展览会(2013年6月18日至20日)中,英飞凌科技股份公司成功推出由其开发的可降低功率半导体金属表面与散热器之间接触热阻的导热界面材料 (TIM)。TIM采用全新D系列的EconoPACKTM +,客户能亲自见证这种导热膏可令导热性能显著提升。
英飞凌科技股份公司今日宣布,公司已与爱特梅尔公司就专利侵权索赔事宜达成和解。英飞凌和爱特梅尔公司都同意寻求解决所有未决专利侵权索赔事宜。英飞凌与其子公司英飞凌科技北美公司于2011年4月向美国特拉华州地区法院对爱特梅尔公司提起诉讼,诉讼和反诉的专利都与单片机相关。 英飞凌与爱特梅尔通过广泛的专利交叉许可解决这一纠纷。作为协议的一部分,爱特梅尔将向英飞凌支付一笔费用,具体金额不详。许可的具体条款保密。 英飞凌科技股份公司负责法律和专利事务的副总裁兼法律总顾问Michael von Eick
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前宣布,公司已与爱特梅尔公司就专利侵权索赔事宜达成和解。英飞凌和爱特梅尔公司都同意寻求解决所有未决专利侵权索赔事宜。英飞凌与其子公司英飞凌科技北美公司于2011年4月向美国特拉华州地区法院对爱特梅尔公司提起诉讼,诉讼和反诉的专利都与单片机相关。
在下周举行的 PCIM 2013 功率电子贸易展中,英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 将展示全新的2EDL EiceDRIVERTMCompact半桥闸极驱动器,该产品适用于阻断电压为600伏的应用。由于配备了极快速的阴极负载二极管和电阻器,元件可在极其紧凑的结构中实现高效率。因此,它是节省装置空间的理想元件,适用于消费类电子科技类产品以及家电。
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前推出一系列可为移动电子系统提供一流静电释放(ESD)保护的瞬态电压抑制(TVS)器件。ESD102 TVS二极管和阵列器件具备非常低的动态电阻(Rdyn = 0.19Ω)和超低电容(C = 0.4pF),可使工程师满足新一代智能手机和平板电脑高速接口在设计强健性和信号质量方面的严格要求。
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前宣布为台湾电子护照项目提供安全芯片。英飞凌是该项目唯一的安全芯片供应商,已开始装运基于数字安全技术“Integrity Guard”的SLE78系列安全芯片。自2008年起,台湾每年的电子护照签发量为100万张,如今持有人总数已接近2300万。
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)和华为技术有限公司日前宣布,双方将在新一代通信电源和数据中心能源开发领域进行战略合作,同时启动华为-英飞凌网络能源联合实验室。
英飞凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost
英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代应用于新能源汽车的高压IGBT门级驱动器。有了专为混合动力/电动汽车 (HEV) 的主逆变器而设计的全新EiceDRIVER™ SIL和EiceDRIVER™ Boost驱动器,汽车系统供应商便能够更轻松地设计出更具成本效益的HEV电力传动传动子系统,该系统全部符合ASIL C/D功能安全要求标准 (ISO 26262)。
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日发布了2013财年第二季度(截至2013年3月31日)的财务数据。
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司宣布,双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺,签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器(MCU)的经验,进行有关技术的开发。GLOBALFOUNDRIES 公司旗下的多家晶圆厂将生产新一代40纳米嵌入式闪存MCU,其中新加坡的晶圆厂将成为第一个生产该类器件的晶圆厂,紧随其后的是公司位于德国德累斯顿的晶圆厂。 英飞凌科技管理委员会成员Arunjai
英飞凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)与GLOBALFOUNDRIES 公司日前宣布,双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺,签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器(MCU)的经验,进行有关技术的开发。