IGBT晶圆

  芯片的开展，是工艺越来越小，而晶圆的开展是尺度渐渐的变大，曾经是4寸，再是6寸，再8寸，12寸。 现在商场上的晶圆干流是12寸，次干流是8寸，至于6寸现已适当少了，而4寸就根本没了。

  以高度灵敏性满足高功率密度和性能需求：英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块

  英飞凌科技股份公司推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规范高达 800 A ，扩展了英飞凌选用老练的62 mm 封装规划的产品组合

  Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源使用中完成超卓功率

  为功率电子规划人员供给带有全额敏捷康复二极管的稳健型175℃规范IGBT。奈梅亨，2023年7月5日：根底半导体器材范畴的高产能出产专家Nexperia今天宣告，将凭仗600 V器材系列进军绝缘栅双极晶体管（IGBT）商场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军商场的第一炮

  专心晶圆及封测高端设备，达仕科技露脸SEMICON CHINA 2023

  半导体技能一日千里，对设备要求渐渐的升高。专心晶圆及封测范畴的高端设备供给商——达仕科技将携具论题性的半导体封测设备、于6月29日SEMICON CHINA 2023 上海新国际博览中心T1馆T1209展位露脸，会集展现工厂智能化的研制使用，为半导体制造和封测厂供给业界抢先的解决方案

  意法半导体发布灵敏可变的阻隔式降压转化器芯片，维护功率转化和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动

  2023 年 5月 16 日，我国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 阻隔降压 （iso－buck） 转化器芯片具有能效高、尺度紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69

  晶心科技和 IAR携手助力奕力科技加快开发其契合ISO 26262规范的TDDI SoC ILI66

  透过Andes晶心科技与IAR的整合功用安全解决方案，帮忙奕力科技开发其高性能的触控与显现驱动整合（TDDI）芯片瑞典乌普萨拉–2023年3月16日–Andes晶心科技（TWSE：6533）和IAR共

  瑞萨电子推出新式栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

  全新栅极驱动IC支撑1200V功率器材，阻隔电压为3．75kVrms2023 年 1 月 30日，我国北京讯 － 全球半导体解决方案供货商瑞萨电子（TSE：6723）今天宣告，推出一款全新栅极驱动IC

  跟着电气化、高功率场景的推动，功率器材的使用场景规模越来越广；近20年来，一切的范畴对功率器材的电压和频率要求越来越严厉，功率MOSFET和IGBT渐渐的变成为干流；IGBT与功率MOSFET，在某些电压和频率场景上有必定的彼此代替联系，特别是第三代半导体资料制造的MOSFET与硅基IGBT之间的竞赛