打造“三个高地”走在前列 中车年代半导体荣获2021湖南省专利奖仅有特等奖

  近来，2021年度湖南专利奖榜单发布，其间仅有一个特等奖由株洲中车年代半导体有限公司夺得。

  株洲中车年代半导体有限公司研制的“功率半导体芯片、包含该芯片的子模组及压接式封装模块”发明专利，跳出了现存技能道路的限制，打破了国外公司的知识产权壁垒。该专利经过芯片、子模组、模块的协同立异，处理了压接型IGBT均流与芯片数量的对立，霸占了压接型IGBT压力均衡与芯片数量难以和谐的世界性难题，完成大容量压接式IGBT具有双面散热、长时间失效短路的才能，功用体现逾越现有产品，全体技能水平到达世界抢先。

  刘国友 株洲中车年代半导体有限公司 专家：“别适合于电网这种高压使用场合，它需求很大的电流容量，需求器材接受很高的电压，传统的器材的话，要完成这个功用的话，就需求很杂乱的拓扑来完成，要么成本就十分高，咱们这种器材经过多芯片的压接并联，来完成更大的电流容量，拓扑结构相对比较简单许多。”

  现在该专利已顺畅推行至轨道交通、电动汽车、有色冶金、电力系统、钢铁、新能源等范畴，批量使用于国家电网巴西美丽山特高压输电二期项目、北京冬奥会要点配套电网工程、乌东德水电站、粤港澳大湾区直流背靠背广州工程等要点项目，占国内市场半壁河山。

  刘国友 株洲中车年代半导体有限公司 专家：“新能源的大规模开发利用，远距离的传输和新能源的大比例接入等方面，会起到渐渐的变大的效果。对现在的电网进行柔性化改造，必须有这种大功率的IGBT来完成才能的转化和操控。有助于推进新式电力系统的建造，一起也会推进绿色低碳经济的开展。”