春风第一批自主碳化硅功率模块下线

  近来，第一批选用纳米银烧结技能的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺畅下线，完结自主封装、测验以及运用老化试验。

  碳化硅宽禁带半导体是国家“十四五”规划大纲中侧重重视的科技前沿范畴攻关项目，凭仗其优秀的高禁带宽度、高电子迁移率、高导热等特色，使得碳化硅模块具有十分显着的高效率、高压、高作业时分的温度的优势，在中高端新能源轿车中的运用越来越遍及。

  据悉，智新半导体建立于2019年6月，由春风公司与中国中车两大央企在武汉合资建立。2021年7月，智新半导体正式将IGBT生产线投入量产，该产线以第六代IGBT技能为根底，第一批下线的IGBT模块将搭载于春风风神、岚图等自主品牌车型上。

  智新半导体碳化硅模块项目根据春风集团“马赫动力”新一代800V高压渠道，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产项目。碳化硅模块项目以智新半导体封装技能为引领，广泛与中心企业、高等院校展开协作，从模块规划、模块封装测验、电控运用到整车路试等环节，完成要害核心技能的自主掌控。现在，碳化硅模块开发项目已参加国资委专项课题1项，参加行业标准拟定2项。

  该碳化硅模块，选用纳米银烧结工艺、铜键合技能，运用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改进10%以上，作业时分的温度可达175℃，损耗比较IGBT模块大幅度下降40%以上，整车续航才能提高5%-8%。

  智新半导体建立4年来，已请求受理专利51项，其间发明专利40项，已授权专利20项，其间发明专利11项，并取得湖北省“高新技能企业”认证，武汉市专精特新“小伟人”企业确定。