激光退火工艺在IGBT制造中的使用

  激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)反面工艺的重要过程。对离子注入后的硅基IGBT 圆片反面进行激光快速退火，完成激活深度，有用修正离子注入损坏的晶格结构。跟着IGBT技能发展和薄片加工工艺研制的需求，IGBT反面退火越来越多使用激光退火技能。

  因为硅片正面金属铝的存在，此处的退火工艺一定要确保硅片正面温度要小于500℃，因而用炉管工艺来激活时温度有必要低于500℃（一般挑选400-450℃）。但在这一温度范围内，注入离子的激活率很低，对器材的功能调整构成影响。

  激光退火因为能够对硅片反面进行局域加热，在硅片反面部分构成极高温，大幅度进步反面注入离子的激活率，一起坚持硅片正面在较低温度。

  20世纪60年代后期和20世纪70年代初期偶然呈现过关于激光退火的报导，可是激光退火直到1971年才被创造出来。为了能够更好的确保不损害正面的器材结构，并确保反面的激活作用，从IGBT第四代之后，逐渐采取了激光退火技能替代传统热退火技能。

  激光退火的原理是用激光束照耀半导体外表，在照耀区内发生极高的温度，使晶体的损害得到修正，并消除位错的办法。它能有用地消除离子注入所发生的晶格缺点，一起因为加热时刻极短（约为一般热退火的百万分之一），可防止损坏集成电路的浅结电导率和其他结特性。

  激光退火工艺能够有用修正离子注入损坏的晶格结构，取得比传统退火方法更好的离子激活功率和激活深度，且不损害硅片的正面器材，从而在IGBT制造的完好过程中得到业界的广泛重视和使用。

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