igbt芯片制作工艺以及流程详解-KIA MOS管

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处。

  GTR饱满压下降，载流密度大，但驱动电流比较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT归纳了以上两种器材的长处，驱动功率小而饱满压下降。很合适使用于直流电压为600V及以上的变流体系如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。

  丝网印刷? 主动贴片?真空回流焊接?超声波清洗?缺点查验测验（X光）?主动引线键合?激光打标?壳体塑封?壳体灌胶与固化?端子成形?功用测验

  IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以进步IGBT模块的惯例运用的寿数和牢靠性，体积更小、功率更加高、牢靠性更高是商场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技能的开发和运用。

  现在盛行的IGBT模块封装方法有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技能有许多，各生产商的命名也不一样，如英飞凌的62mm封装、TP34、DP70等等。

  IGBT模块有3个衔接部分：硅片上的铝线键合点、硅片与陶瓷绝缘基板的焊接面、陶瓷绝缘基板与铜底板的焊接面。这些接点的损坏都是因为触摸面两种资料的热线胀系数（C犯）不匹配而发生的应力和资料的热恶化构成的。

  IGBT模块封装技能许多，可是归纳起来无非是散热办理规划、超声波端子焊接技能和高牢靠锡焊技能：

  （1）散热办理规划方面，经过选用封装的热模仿技能，优化了芯片布局及尺度，从而在相同的ΔTjc条件下，成功完成了比本来高约10%的输出功率。

  （2）超声波端子焊接技能可将此前运用锡焊方法衔接的铜垫与铜键合引线直接焊接在一起。该技能与锡焊方法比较，不只具有高熔点和高强度，并且不存在线性膨胀系数差，可获得较高的牢靠性。

  （3）高牢靠性锡焊技能。一般Sn-Ag焊接在300个温度周期后强度会下降35%，而Sn-Ag-In及Sn-Sb焊接在相同周期之后强度不会下降。这些技能均“具有较高的高温牢靠性”。

  IGBT模块封装流程：一次焊接--一次邦线--二次焊接--二次邦线---拼装--上外壳、涂密封胶--固化---灌硅凝胶---老化挑选。

  这些流程不是固化的，要看详细的模块，有的或许不需求屡次焊接或邦线，有的则需求，有的或许还有其他工序。上面也仅仅一些首要的流程工艺，其他还有一些辅佐工序，如等离子处理，超声扫描，测验，打标等等。

  IGBT模块封装的效果 IGBT模块封装选用了胶体阻隔技能，避免运转进程中发生爆炸;第二是电极结构选用了绷簧结构，能够缓解装置进程中对基板上构成开裂，构成基板的裂纹;第三是对底板来加工规划，使底板与散热器严密触摸，进步了模块的热循环才能。

  对底板规划是选用中心点规划，在咱们规则的装置条件下，它的起伏会消失，完成更好的与散热器衔接。后边装置进程咱们正真看到，它在装置进程中发挥的效果。产品功能，咱们使用IGBT进程中，开经进程对IGBT是比较平缓的，关断进程中是比较严苛。大部分损坏是关断构成超越额定值。