IGBT备受到长期资金市场“追捧”A股将迎来一波上市热潮

  近年来，随着新能源汽车、充电桩、变频家电等行业加速发展，国内IGBT需求迎来爆发，国内IGBT市场规模呈加速增长趋势。不过，IGBT市场一直被英飞凌、三菱、富士电机、安森美等少数供应商所垄断，国内功率半导体市场自给率偏低，中高端功率IGBT自给率不足10%，国产替代空间巨大。

  而在国产替代及市场应用需求一直增长的背景下，IGBT等功率半导体景气度不断的提高，产业链上相关公司受到投资者热捧，股价一路上行。

  与此同时，国内功率半导体行业也掀起一波“上市热潮”。继华润微、新洁能、斯达半导之后，瑞能半导、中车电气、宏微科技、东微半导体、芯微电子等功率半导体企业也开启了上市征程。同时，天狼芯、芯能半导体等也获得各大资本的青睐。

  IGBT作为能源转换和传输的核心器件，俗称为电力电子行业的“心脏”，其大范围的应用于新能源汽车、工业控制、变频家电等领域。其中，新能源汽车是市场需求量开始上涨最快的领域之一。

  中国最大的车规级IGBT厂商比亚迪半导体总经理陈刚表示，新能源汽车已从上半场的“电动化”切换到下半场的“智能化”，而智能化为车规级半导体创造巨额市场增量，带动多样化半导体增量需求。“新能源车单车半导体价值量是传统燃油车的2倍，并逐年递增。现在是2倍，未来可能是10倍。”

  据机构预测，国内市场预计受新能源汽车渗透率提升驱动，未来五年IGBT市场规模增速中枢将在20%-23%的高增长区间，到2025年全球车载IGBT市场规模将达到60亿美金。同时，光伏风电和充电桩等也快速拉动着IGBT的需求，预计2025年IGBT整体市场有望超过100亿美金。

  而随着IGBT需求持续增长，行业出现“供需失衡”的情况，国内市场甚至会出现“一芯难求”情况。自2020年年初起，国际IGBT大厂、代工厂均受疫情影响，产能供应不足的问题持续至今。

  一位厂商的人说，“目前IGBT产品肯定是供不应求，公司也在加大产能和生产线的投入。不过，由于IGBT市场长期被国际巨头垄断，国内企业与之实力差距明显，即使市场空间非常大，但仍然有漫长的路需要走。”

  据集微网之前报道，由于受到疫情影响，原本采用进口IGBT的厂商也因为供货不足，逐渐导入斯达半导、比亚迪半导体等国产供应商，国产替代苗头初现。

  4月14日，比亚迪公告宣布全资子公司比亚迪半导体重组并拟引入战略投资者。紧接着，比亚迪半导体分别于2020年5月、6月完成A轮、A+轮融资，投资金额共计27亿元，投后估值达102亿元，战略投资者包括韩国SK集团、中芯国际、小米产业基金、红杉中国、中小企业发展基金、中金资本、国投创新、松禾资本、深创投、Himalaya Capital等国内外知名投资机构和产业资本。

  此外，2020年以来，芯能半导体、基本半导体、天狼芯、利普思、东微半导体等10多家功率半导体厂商也受到长期资金市场的青睐，并成功获得融资。

  业内人士表示，“尽管目前全球经济充满了不稳定性，但资本对于功率半导体市场的热情高涨，多家功率半导体企业获得融资，希望我国功率半导体产业能够在大量资本的助力下发展更加迅速。”

  受到长期资金市场的热捧，功率半导体板块个股的股价也一路上行，士兰微近一个月股价上涨超过70%，比亚迪的股价上涨也超过40%，另外，斯达半导、新洁能等功率半导体企业的股价都有不同程度的上涨。

  在资本热捧、市场火热及国产替代的背景下，功率半导体行业正在迎来一波上市热潮。

  2020年以来，已有华润微、斯达半导、新洁能等功率半导体企业成功登陆长期资金市场。值得一提的是，已挂牌上市的功率半导体企业备受长期资金市场热捧，表现很出色。如登陆主板的国内IGBT有突出贡献的公司斯达半导，其股价从上市之初的12.74元飙涨至1月8日收盘价263.20元，成为国内长期资金市场最牛股之一；再如新洁能，其股价也从上市之初的19.91元/股，涨到1月8日的189.26元/股。

  上述企业的优异表现，也吸引其他功率半导体厂商加快上市的步伐。目前，中车电气、宏微科技瑞能半导等企业的IPO申请已获受理，东微半导体、芯微电子、龙腾半导体等企业亦已进入上市辅导阶段，而比亚迪半导体也进入上市前期准备工作。

  2020年12月22日，宏微科技科创板上市申请获得上交所受理。其拟募资5.58亿元投建于新型电力半导体器件产业基地项目、研发中心建设项目、偿还银行贷款及补充流动资金项目。

  而中国中车下属间接控股子公司中车电气也于2020年12月30日提交的A股首发并在科创板上市申请获上交所受理。紧接着，比亚迪拟筹划控股子公司比亚迪半导体分拆上市，并授权公司及比亚迪半导体管理层启动分拆比亚迪半导体上市的前期筹备工作。

  另外，据证监会披露，东微半导体、芯微电子、龙腾半导体等功率半导体厂商也于近日进行上市辅导备案，开启登陆长期资金市场的征程。

  业内人士对集微网表示，“IGBT作为最有潜力的半导体功率器件之一，当前市场规模迅速增加，目前国产功率器件在中低端产品上替代进度很快，未来将会持续向中、高端领域延伸，国内企业将会迎来较好的发展。目前，已有不少功率半导体企业登陆长期资金市场，未来将会有更多的功率半导体企业接受长期资金市场的考验，长期资金市场也将助力功率半导体产业融资发展。”

  在资本市场“热捧”之下，国内功率半导体产业将迎来较快发展。国元证券贺茂飞指出，在市场需求、政策、人才、资金和技术多因素催化下，国内功率半导体行业未来3-5年有望进入黄金发展期。无论是从技术追赶难度、产业化布局进度、外部因素冲击等多角度分析，功率半导体都是未来可预见的国产替代进度最快的细致划分领域之一。

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  新能源需求拉动下国内IGBT市场有望保持20％增速，同时进口厂商供给短缺背景下本土IGBT玩家迎来加速成长机遇。建议关注已成功切入中高端客户供应链的士兰微、斯达半导、时代电气、比亚迪半导体等，以及正积极地推进布局的闻泰科技、新洁能、扬杰科技等。 IGBT属于功率器件核心赛道。 IGBT（绝缘栅双极型晶体）是电子装置中电能转换与电路控制的核心器件，主要使用在于650~6500V的中高压场景。由于IGBT的可靠性、节能性直接决定了终端设备的性能（如电动车、光伏等），下游客户在选取供应商时较谨慎，决定了应用环节客户导入门槛高，结合设计、制造、封装等环节的技术难度，综合看来IGBT属于Si基功率器件壁垒最高的细分赛道。 市场空间：测算2

  中车株洲所发布信息称，该公司旗下中车时代电气的IGBT模块产品近日击败国际竞争对手，再次获得印度订单，这是截至目前中车时代电气IGBT在国外获得的最大订单。这也代表着中国自主研发生产的IGBT产品在海外市场运行稳健，逐步得到国际市场的认可。 中车时代电气半导体事业部总经理吴煜东介绍，此次中标的订单产品总数量超越1000只，这批产品将供应给印度一家变流器生产厂商，大多数都用在105台印度机车上。 2016年，中车时代电气800A/1700V的IGBT模块凭借优良的产品性能，拿下了第一批100台印度WAG-9机车的改造升级订单，这也是中国铁路行业最核心器件首次获得海外批量订单。 一年多来，中车时代电气提供的IGBT模块装车运作状况良好，获

  全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx 器件系列为完整的功率应用场景范围作出优化，从小型马达和低负载产品到工业应用均涵盖其中，如不间断电源 (UPS) 、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接等应用。 广泛的产品系列共有23款IGBT，采用纤薄晶圆场截止沟道技术，提供极低的传导损耗和开关损耗，并能实现二者的平衡。新器件与软恢复低Qrr二极管共同封装，通过5µs短路额定值来优化超高速开关，还具备有助于并联的低Vce(on) 和正Vce(on

  系列 /

  半导体分立器件 IGBT (绝缘栅双极型晶体管 芯片 )潜在市场巨大，在工业控制、汽车电子、新能源、智能电网应用市场广阔，而中国IC制造 芯片 厂也正积极寻求突破口，以成熟的工艺制程落地在地生产，提升国产 IGBT 芯片 模块的自给率。下面就随汽车电子小编共同来了解一下相关联的内容吧。 IGBT 应用领域广泛，堪称现代功率变流装置的“心脏”和高端产业的“核芯”。从传统的电力、机械、矿冶，到轨道交通、航空航天、新能源装备以及特种装备等战略性新兴起的产业，都有它的身影。 不过当前全球IGBT市场，仍被日、欧、美等IDM芯片厂刮分。尽管中国拥有全球最大的功率半导体市场，但与国际芯片大厂相比仍有很大差距，包括目前中国现在的IGBT

  目前使用最多的IGBT栅极驱动器其工作电压范围为几十到几百伏不等。凌力尔特，飞兆半导体所推出的基本也都是几十伏低压驱动器，英飞凌前不久推出的产品最高也不过1200V。     对于这一些企业而言，低压驱动器所适用的范围基本涵盖了我们所涉及到绝大多数领域。低压领域的市场需求大，未来市场发展的潜力也比较好，所以推出比较好的产品来占领低压市场是势在必行的。     但是，英国剑桥的一家电力产品公司Amantys的产品思路却恰恰相反。当其他产商都在争先恐后的抢占低压驱动器市场时，Amantys避其锋芒，专攻高压驱动器领域。这对于一家新成立不久的公司来说，不可不说是一条合适的生存之道。     Amantys成立于2010年，企业具有一支在数字

  市场的“求生之路” /

  感应加热 电源 大范围的应用于金属热处理、淬火、退火、透热、熔炼、焊接、热套、 半导体 材料炼制、塑料热合、烘烤和提纯等场合；利用在高频磁场作用下产生的感应电流引起导体自身发热而加热。感应加热与炉式加热、燃烧加热或者电热丝加热相比，具有显着节能、非接触、速度快、工序简单、容易实现 自动化 等优点。 感应加热电源主要由整流单元、逆变单元、谐振输出单元、和感应器四部分所组成。其中整流单元将工频三相交流电压转换成直流电压；逆变单元 电能 变换成为几千至上百千赫兹的高频电能；谐振输出单元一端连接逆变器，另一端连接感应器，经隔离和阻抗匹配，通过谐振的方法在感应器中产生强大的高频电流。加热时，感应器在工件中感生高频电流，因此导体迅速

  带短路保护锁定的驱动的3脚为短路信号检测入端;2脚为驱动地;1脚为驱动输出。 当电路存在短路的时候流过MOS的电流很大在S极电阻两头产生的压降导致三极管由截止进入导通(当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系)，因此驱动电阻上面有压降，MOS进入放大区。这样一个时间段高电压不会通过MOS进行强电流放电，因而芯片不会有局部过热的可能，在很短的时间内保护电路检测到短路存在关闭并锁定驱动电压输出，MOS仅承受了动作时间内的恒流功率损耗，安全性得到了很大提高。 此电路仅作为理解原理使用具体参数看实际工况选取。 S级的电阻是根据你选定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)选定的,至于跨导这个

  模块的设计 /

  引言 反并联二极管的正确设计需要考虑各种各样的因素。其中一些与自身技术相关，其它的与应用相关。但是，正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力最终将构成一种三角关系。 由于在当前的二极管技术条件下，二极管芯片本身的尺寸已经被削减至很小，所以二极管设计师再次将目光投向电气性能(忽略成本因素)。本文将聚焦驱动应用中的二极管，进行利弊分析与思考。对于所有应用来说，所考虑的基本点是一样的：应该使用静态损耗较低的二极管，还是考虑总系统(包括IGBT)性能而使用静态损耗稍高但开关损耗较低的二极管。 二极管优化 二极管的反向恢复电荷Qrr与正向压降Vf的关系曲线可以表示出二极管的特性。这在某种程度上预示着，原则上该曲线上的每一

  的几种驱动电路的分析

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