IGBT器材

  Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器材， 助力核算、人工智能、动力和轿车电源体系完成杰出的热功能和电气功能新推出器材是业界首款选用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源体系未来的，氮化镓

  Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支撑高功率能耗AI运用的最佳器材

  三款新器材为SMD的高功率体系带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）渠道优势，此类高功率体系要在高功率密度的情况下完成更高的可靠性和功能，并发生较低的热量加利福尼亚

  誉鸿锦半导体GaN器材品牌发布会，携全工业链Super IDM形式完成工业功率革新

  10月13日，誉鸿锦半导体在深圳世界会展中心（宝安新馆) 正式举行氮化镓（GaN）器材品牌发布会，暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器材及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷掌管，初次向职业展现了Super IDM工业集群的生态形式，带来了氮化镓半导体工业链的功率革新

  Transphorm氮化镓器材助力DAH Solar(大恒动力)全球首个全集成化微型逆变器光伏体系

  运用更为先进的 Transphorm氮化镓器材，使突破性的太阳能电池板体系外形更小、更轻，且具有更高的功能和功率。加利福尼亚州戈莱塔 － 2023 年 10月 12日 － 新代代电力体系的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球抢先供货商Transphorm

  以高度灵敏性满足高功率密度和功能需求：英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块

  英飞凌科技股份公司推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规范高达 800 A ，扩展了英飞凌选用老练的62 mm 封装规划的产品组合

  Transphorm氮化镓器材首先到达对电机驱动运用至关重要的抗短路稳健性里程碑

  与安川电机公司协作获得的这项效果，充沛的利用了 Transphorm 常关型渠道的根本优势。加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 8 月 24 日 － 新代代电力体系的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产

  ROHM推出全新Power Stage IC：可代替Si MOSFET，器材体积削减99％

  近年来，为完成可继续开展的社会，抵消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种十分有助于进步功率转化功率和完成器材小型化的器材被寄予厚望。在此布景下，全球闻名

  【聚集】负性光刻胶可运用于显现器材、半导体等范畴 我国职业开展面对应战

  近年来，受下流运用开发力度缺乏等要素约束，我国聚异戊二烯设备开工率较低，导致需求高度依靠进口。原资料供给缺乏为负性光刻胶职业开展带来必定应战。 光刻胶品种丰厚，依照化学反应机理和显影原理不同，可分为正性光刻胶和负性光刻胶两类

  Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源运用中完成超卓功率

  为功率电子规划人员供给带有全额敏捷康复二极管的稳健型175℃规范IGBT。奈梅亨，2023年7月5日：根底半导体器材范畴的高产能出产专家Nexperia今天宣告，将凭仗600 V器材系列进军绝缘栅双极晶体管（IGBT）商场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军商场的第一炮

  Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器材的仿真模型

  该器材已准备就绪：为Transphorm的立异常关型氮化镓渠道运用于新一代轿车和三相电力体系加州戈利塔－－（2023年5月31日）－－ 高可靠性、高功能氮化镓（GaN）电源转化产品的前锋企业和全球供给

  意法半导体发布灵敏可变的阻隔式降压转化器芯片，维护功率转化和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动

  2023 年 5月 16 日，我国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 阻隔降压 （iso－buck） 转化器芯片具有能效高、尺度紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69

  Nexperia推出动力收集PMIC，以加快开发环境友好型动力自主式低功耗器材

  电容式DC－DC转化器有助于节约高达90％的BOM本钱奈梅亨，2023年4月7日：根底半导体器材范畴的专家Nexperia今天宣告推出能量收集解决计划，进一步丰厚其电源办理IC系列。该计划可简化低功耗物联网（IoT）及其嵌入式运用，并增强运用功能

  瑞萨电子推出新式栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

  全新栅极驱动IC支撑1200V功率器材，阻隔电压为3．75kVrms2023 年 1 月 30日，我国北京讯 － 全球半导体解决计划供货商瑞萨电子（TSE：6723）今天宣告，推出一款全新栅极驱动IC

  SMIT 封装功率半导体器材。与传统 TO 型封装比较，意法半导体先意法半导体

  跟着电气化、高功率场景的推动，功率器材的运用场景规模越来越广；近20年来，一切的范畴对功率器材的电压和频率要求越来越严厉，功率MOSFET和IGBT渐渐的变成为干流；IGBT与功率MOSFET，在某些电压和频率场景上有必定的彼此代替联系，特别是第三代半导体资料制造的MOSFET与硅基IGBT之间的竞赛

  Nexperia宣告面向高速数据线的TrEOS系列ESD维护器材再添两款新产品

  PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、十分低的触发电压和极低的钳位电压，为灵敏体系的维护供给了一种高效的解决计划奈梅亨，2022年12月19日：根底半导体器材范畴的高产能

  安身优势 继续抢先：KIOXIA铠侠新一代UFS嵌入式闪存器材已批量交货

  全球存储器解决计划领导者KIOXIA铠侠我国近来宣告，本年其最新发布的业界首款支撑MIPI M－PHYv5．0的通用闪存Universal Flash Storage （以下简称：UFS） 嵌入式闪存器材，现在已首先批量交货，助力本乡手机产商完成存储速度腾跃