IGBT职业开展现状及特色剖析

  IGBT模块是由IGBT芯片与FWD芯片经过特定的电路桥接封装而成的模块化产品。IGBT现已大范围的使用于家用电器、交通运输、电力工程、可再次出产的动力和智能电网等范畴。在国内，虽然我国功率半导体商场占国际商场的50%以上，可是现在国内功率半导体产品的研制与国际大公司比较还存在很大距离，在中高端MOSFET及IGBT干流器材商场上，90％首要依靠进口，根本被国外欧美、日本企业独占，核心技能均把握在发达国家企业手中。

  新思界工业研究中心发布的《2018-2022年我国功率半导体商场专题研究及出资可行性评价陈述》以为，我国IGBT职业现状出现以下特色：

  现在，国内IGBT从业企业比较多，事务是IGBT的规划、制造、模组、IDM等，但IGBT芯片规划制造、模块封装、失效剖析、测验等IGBT工业核心技能仍把握在发达国家企业手中。

  我国IGBT企业在研制与制造工艺方面极度缺乏经验，与国际领先水平距离很大，我国的功率半导体技能包含规划、制造和模块封装技能现在都还处于起步阶段。

  在模块封装技能方面，国内根本把握了传统的焊接式封装技能，其间中低压模块封装厂家较多，高压模块封装大多散布在在南车与北车两家公司。与国外公司比较，技能上的距离仍然存在。国外公司根据传统封装技能相继研制出多种先进封装技能，能够大幅度进步模块的功率密度、散热性能与长时间可靠性，并开始完成了商业使用。

  现在国内没有体系把握IGBT制造工艺的人才。从国外先进功率器材公司引入是捷径。但单单引入一个人很难把握IGBT制造的全流程，而要引入一个团队难度太大。国外IGBT制造中许多技能是有专利维护。

  每道制造流程与工艺都有专用设备配套。其间有的国内没有，或技能水平达不到。如：德国的真空焊接机，能把芯片焊接空泛率控制在低于1%，而国产设备空泛率高达20%到50%。

  例如，IGBT现在已开展到7.5代，第7代由三菱电机在2012年推出，三菱电机现在的水平能够看作7.5代，一起IGBT的下一代SiC技能已在日本全面遍及，不管三菱这样的大厂仍是Fuji、Rohm这样的小厂都有才能轻松制造出SiC元件，我国现在停留在第三代水平上，距离在20年以上。

  近几年我国IGBT工业在国家方针推进及商场牵引下得到迅速开展，已形成了IDM形式和代工形式的IGBT完好工业链，IGBT国产化的进程加速。新思界职业剖析研究员表明：我国应加大在工业链上游层面的出资，改动现在功率器材范畴封装强于芯片的现状。例如，株洲中车年代电气是国内仅有自主把握了高铁动力IGBT芯片及模块技能的企业，而且已将产品打入到国际商场。